R
R. Kruszka
H指数:12
被引数:419
个人简介
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教育背景
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工作经历
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荣誉奖项
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在Cl2/Ar/O2 ICP等离子体中对Al0.25Ga0.75N上的p-gan进行选择性蚀刻,以制造常关GaN hemt
通过深氢注入对GaAs和AlGaAs/GaAs量子级联激光器进行电隔离
暂无内容
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在Cl2/Ar/O2 ICP等离子体中对Al0.25Ga0.75N上的p-gan进行选择性蚀刻,以制造常关GaN hemt
通过深氢注入对GaAs和AlGaAs/GaAs量子级联激光器进行电隔离