Shuti Li

混合维度的GaN/AlN微线/石墨烯/u-GaN范德华异质结用于高性能热电子晶体管和紫外光电探测器

通过对称性破缺实现自旋轨道矩磁器件的无场开关：综述与展望

用于人体动作识别和时空编码的碳引入单层GaN人工光电突触

通过光化学钝化和范德华接触实现的互补界面优化，用于高性能紫外光电探测器

Lei, Q.; Li, L.; Lu, W.; Tao, J.; Ling, R.; Zhang, L.; Chen, X.; Wu, S.; Li, S.; Li, S.; et al. GaN基雪崩光电二极管的制备与研究进展。Microstructures 2025, 5, 2025079. [Google Scholar] [CrossRef]

Hf-、Zr-和Nb掺杂的二维(β-Ga₂O₃)的电子结构和光学性质

一维(GaN/AlN)/二维-Gr/三维-(SiO2/Si)组合高性能闪存器件

GaN基半导体中的自旋电子学: 研究进展、挑战与展望

具有低功函数阳极和高功函数场板的低导通电压AlGaN/GaN肖特基势垒二极管

通过具有异质结结构的Ga2O3/MnCO3阳极的低势垒和更快的电子/离子传输速率，用于锂离子电池

Π 共轭芳氨基分子在高性能钙钛矿太阳能电池中的界面修饰