S
Sanghwa Yoon
H指数:11
被引数:308
个人简介
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教育背景
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工作经历
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荣誉奖项
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在空间扩展绝缘区域中对碲纳米棒的维度调控的反应路径控制
Electrochimica Acta
IF5.6
通过单室电化学-原子层沉积法制备无孔Pd纳米薄膜的 epitaxial growth
Fe, P双掺杂和NiCo合金的相边界工程:提升水分解效果的密度泛函理论(DFT)优化策略
Ag纳米层缺陷最小化的电化学置换沉积法用于Cu-Cu混合键合的研究
缺陷自愈的Au/rGO涂层用于PEMFC双极板的腐蚀防护
在非导电基底上通过电化学路径控制碲纳米结构的生长
Electrochimica Acta
IF5.6
富缺陷α-Co(OH)2上Ag纳米簇的自发沉积及其在高倍率性能超级电容器中的应用
MATERIALS & DESIGN
IF7.9
用于高效高选择性铜填充的玻璃通孔表面上的二氧化硅 (SiO2) 固体阻挡层
咖啡废料中的多孔碳上均匀分散的钌纳米颗粒在碱性介质中的析氢反应优于铂
SCIENTIFIC REPORTS
IF3.9
电沉积功能浓度周期性梯度材料结构的镍钨合金低应力和高硬度
在无添加剂的电解质中通过直流电电沉积应力松弛诱导的 (111) 取向的纳米孪晶铜膜
ELECTROCHIMICA ACTA
IF5.6

