F
Fangping Ouyang
H指数:28
被引数:3,609
个人简介
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教育背景
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工作经历
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荣誉奖项
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钇掺杂MoS₂,具有优化的界面电荷注入和氢键合作用,用于高效氢气进化
Advanced Materials
IF26.8
通过铁电极化在CrSnTe3/In2Se3范德华异质结中实现的可控拓扑相变
PDA@KNN/P(VDF-TrFE)复合薄膜的实验与第一性原理研究:界面效应与压电增强
铜团簇催化剂用于析氢反应的全球筛选:一项DFT研究
高效三次谐波产生及在TiS3中极化各向异性的应变工程调控
Nano Letters
IF9.1
二维自旋反铁电交替磁体中的巨自旋劈裂:从模型到材料实现
Nano Letters
IF9.1
单壁碳纳米管催化生长过程中固体纳米颗粒的相变机制
Small
IF12.1
单层铁谷材料AgMoP₂S₆中谷极化和反常谷霍尔效应的调控
基于第一性原理的单层MoS2中稳定自旋量子比特的设计与元素缺陷工程
非挥发性电学控制FePS3/Sc2CO2范德华异质结构中的堆叠相关性
H⁺触发的碳点固态荧光用于双重防伪
Organic Electronics
IF2.6
调制单层和双层LuIBr的谷极化:d轨道耦合的作用
可调谐的WS2-WSe2和WS2-MoS2双层横向异质结用于自驱动光电探测器
Nanoscale
IF5.1
手性转移外延法制备对圆偏振光敏感的ReS2单层单晶
Nature Communications
IF15.7
机器学习辅助的原子级薄MoSxTe2-x电催化剂活性中心探索,用于高效氢气进化
Advanced Materials
IF26.8
声子各向异性与非线性性在Al₂Mo₃O₁₂外延纳米薄片中的研究
电场可调控的铁谷、反常谷霍尔效应和二维反铁磁体中的本征圆二色性
用图形探索原子分辨显微镜中的结构多样性
ADVANCED MATERIALS
IF26.8

