W
Wei Huang
H指数:17
被引数:1,172
个人简介
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教育背景
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工作经历
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荣誉奖项
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一种新型多背板和密封双膜片MEMS电容式麦克风的设计与建模
IEEE Sensors Journal
IF4.5
表面激活的GaAs/Si异质键合及其高温失效
Vacuum
IF3.9
ADVANCED MATERIALS
IF26.8
用于全光学神经视觉的双向磷光神经可塑性
ACS NANO
IF16
晶圆键合界面与异质失配界面的分离实现了高质量的键合ge-si异质结
通过使用远程氧等离子体处理的特定侧壁钝化来增强Ge/Si雪崩光电探测器的性能
SiO2/Si衬底上谐振腔增强型4H-SiC薄膜MSM紫外光电探测器
通过与多晶硅中间层的晶片键合实现了具有低界面复合率的InGaAs/Si PIN光电探测器
用于短波红外成像的谐振腔效应低暗电流横向Ge PIN光电探测器阵列
通过氧空位工程对氧化钼薄膜进行电导修饰,用于可见盲紫外光电探测
具有设计界面的Cu纳米线阵列可实现柔性锂离子电池的高性能Si阳极
具有薄多晶硅中间层的Si衬底上的高质量InGaAs薄膜
通过高温溅射生长的Ge上Sn含量为16.5% 的GeSn单晶的有效应变弛豫
洞察固态锂电池中电子导体层增强的界面稳定性
具有肖特基势垒集电极的高增益宽带p-WSe2/n-ge范德华异质结光电晶体管

