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收藏Proximity induced band gap opening in topological-magnetic heterostructure (Ni80Fe20/p-TlBiSe2/p-Si) under ambient condition
Singh, Roshani; Maurya, Gyanendra Kumar; Gautam, Vidushi; Kumar, Rachana; Kumar, Mahesh; Suresh, K. G.; Panigrahi, Brahmaranjan; Murapaka, Chandrasekhar; Haldar, Arbinda; Kumar, Pramod
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