H
Hwanyeol Park
H指数:12
被引数:354
个人简介
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教育背景
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工作经历
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荣誉奖项
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通过抑制氧扩散实现与BEOL兼容的IGZO薄膜晶体管金属/氧化物界面的氘增强稳定性
第一性原理计算揭示了ZrO2原子层沉积中前驱体依赖的反应机理
Scientific Reports
IF3.9
区域选择性原子层沉积的进展: 表面化学,挑战和未来前景
对三硅烷诱导的硅表面反应的见解:一项第一性原理研究
从第一性原理研究阐明HfAlOx三元金属氧化物原子层生长中的超循环机制
针对区域选择性HfO2薄膜的表面化学调控:实验与DFT见解
通过数据驱动策略加速高性能嵌入h-BN的单原子催化剂的氢进化催化剂发现
硅烷自由基的吸附控制稀释气体下的等离子体硅沉积
PHYSICS OF FLUIDS
IF4.3
TiN纳米岛氧化铝表面钨生长的第一性原理计算驱动机理研究
通过DFT和机器学习对稳定的析氧催化剂进行数据驱动的计算设计: 有希望的电催化剂
离子交换使新的插层Li金属氟化物成为可能
通过氨基硅烷抑制剂分子的离散进料增强原子层沉积的Ru薄膜的选择性

