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Xueqiang Ji
个人简介
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教育背景
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工作经历
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荣誉奖项
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超低暗电流和高灵敏度自驱动日盲紫外光电探测器（p-CuZnS/n-Ga2O3异质结）
MOS电容集成垂直沟槽 β-Ga2O3肖特基势垒二极管的表面电场优化
鸮启发的神经形态视觉传感器，具有对暗环境中高度敏感的极弱深紫外光检测能力
基于Ga<sub>2</sub>O<sub>3</sub> 的光电调制人工突触，用于神经形态计算
用于偏振成像的基于各向异性Ga<sub>2</sub>O<sub>3</sub>/MgO异质外延结构的日盲紫外光电探测器
Ga2O3纳米柱阵列中暗载流子与光生载流子的双调制用于高性能日盲紫外光电探测器
费米能级钉扎自由二维杂化MXene/β-Ga2O3范德瓦尔斯极化敏感肖特基光电二极管
王, J.J.; Ji, X.Q.; Zheng, H.C.; Ye, L.C.; Liu, Z.; Shu, L.; Li, S.; Tang, W.H.; Li, P.G. 对低漏电流和高击穿电压的p-NiO/n-Ga2O3结势垒肖特基二极管中电输运机制的探究. 物理学报, 2025, 100, 105904. [谷歌学术] [CrossRef]
多晶<italic>β</italic>-Ga<sub>2</sub>O<sub>3</sub>在神经形态信息存储中的应用：载流子陷阱中心导致持久光电导效应
各向异性Ga₂O₃纳米光栅通过光子和能带工程实现高灵敏度太阳盲区光电探测器
杂化聚meric石墨相碳氮化物的真空冷凝用于扩展可见光光催化氢气生成
通过界面费米能级反转提升β-Ga2O3/Sn-Ga2O3 n-N同质结深紫外光电探测器的性能
氧化镓沉积的雾化化学气相沉积技术：综述（卷 49，101604，2024）
用于氧化镓沉积的薄雾CVD技术: 综述
增强型背照式Ga2O3-based日盲紫外光电探测器
基于ZnGa2O4/Ga2O3异质结的自供电太阳盲深紫外光电探测器的增强性能
