Arnaud le Febvrier

外延生长的MgSnN₂在4H-SiC (0001)上：一种用于绿色光电子学和光伏技术的地球丰量氮化物

外延立方W₂N薄膜的高上临界场和第二类超导电性

通过ScN薄膜离子注入诱导的损伤累积导致的金属-绝缘体转变

多孔CaxCoO2和CaxCoO2·yH2O薄膜的热电及光学性质

Cr1-xNbx和(Cr1-xNbx)Ny涂层在恶劣环境应用中的微观结构、力学及腐蚀性能

ScN薄膜的应变工程及其对光学、电学和热电性质的影响

通过植入诱导缺陷调节CrN薄膜的电学输运性能而不影响热导率

Singh, A.; Rawat, D.; Hjort, V.; Mishra, A.; le Febvrier, A.; Bedanta, S.; Eklund, P.; Soni, A. 通过晶格失配驱动的面内应变工程增强Mo2N超导薄膜的上临界场。Adv. Mater. Interfaces 2025, e00586. [Google Scholar] [CrossRef]

在大功率冲动磁控溅射中使用高能早期到达离子辐照生长的刚玉结构的AlCrNbTi氧化物膜