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Grzegorz Greczyński
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外延立方W<sub>2</sub>N薄膜的高上临界场和第二类超导电性
Advanced Science
IF14.1
脉冲基板偏压对高功率脉冲磁控溅射制备低温生长的TiZrNbTaN<sub>x</sub>薄膜的应变和力学性能的影响
重新思考表面工程——来自第100届IUVSTA关于负责任表面工程研讨会的结论
通过高功率脉冲磁控溅射过程中的选择性金属离子轰击调控低温生长富铝CrAlWN薄膜的相形成和力学性能
MATERIALS & DESIGN
IF7.9
飞秒激光烧蚀（fs-LA）和溅射X射线光电子能谱深度剖析对比研究——氮化钽薄膜
X射线诱导导电性影响薄膜绝缘体X射线光电子能谱分析中的充电位移
通过微观结构分析和自洽峰建模提高XPS谱图解释的可靠性：W1-xNx（0 ≤ x ≤ 0.65）案例
真空领域综述类文章的撰写指南
Vacuum
IF3.9
回复：由单原子层金组成的goldene的合成
Nature Synthesis
IF20
时间分辨离子质谱分析揭示了在高功率脉冲磁控溅射Bi靶期间存在高Bi2+和Bi3+离子通量。
Ti掺杂Ta3N5薄膜中的缺陷工程用于增强光电化学水分解：电子结构调控与载流子动力学
Small Structures
IF11.3
3D超结构立方和六方Hf1-xAlxN薄膜的生长机制和力学响应
Acta Materialia
IF9.3
X射线光电子能谱中样品充电的物理机制：来自薄膜绝缘体实验的见解
低频磁控溅射法制备硬质硼薄膜
Materials & Design
IF7.9
Ta2O5种子层对Ta3N5薄膜在Al2O3(0001)上的相变和 epitaxial growth 的作用
ACTA MATERIALIA
IF9.3
通过阳极氧化定制CoCrFeNi和MnCrFeNi薄膜的电催化活性和耐腐蚀性
