H
Hryhorii Stanchu
H指数:14
被引数:450
个人简介
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教育背景
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工作经历
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荣誉奖项
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GeSiSn合金中的跳跃导电:结构无序对电输运的影响
温度依赖的Sn掺杂和缺陷形成:通过分子束外延在Si(001)上制备类伪形SiSn层
Crystals
IF2.4
高空穴迁移率GeSn量子阱的实验表征与建模:合金无序散射的作用
Small Science
IF8.3
通过化学气相沉积在代工厂模式下生长的高质量GeSn材料,实现了最高至235 K的激光发射
通过纵横比捕获法在Si(001)上生长的Ge小岛X射线衍射研究
通过相干磁吸收产生的光学自旋极化
Nanoscale
IF5.1
MBE生长及应变GeSn/Ge多量子阱结构的表征
Si衬底上深宽比俘获生长Ge的综合材料研究
具有双波长发射的全IV族SiGeSn中红外激光器的研究
SCIENTIFIC REPORTS
IF3.9
OPTICS LETTERS
IF3.3
Si光子学平台上用于光子学集成电路的SiGeSn量子阱: 综述

