Hock Jin Quah

温度依赖的氮迁移及势垒形成在Tm₂O₃/4H-SiC结构中通过顺序快速热退火和常规退火

通过氮气控制的分步退火调控Tm2O3薄膜的介电常数和击穿强度

通过PLAL激光能量定制Ag纳米颗粒，以实现高性能GaN MSM紫外光电探测器

激光驱动GaN纳米颗粒的合成：面向下一代光电子器件，从薄膜溅射到增强的光探测器功能

氮-氧-氮退火氧化镓、铈镓氧化物和镓铈氧化物薄膜的生长与性能比较研究

快速热退火后时间依赖性调控氧化镓/氮化镓异质结构以提升光电器件性能

基于体GaN的金属-半导体-金属紫外光电探测器的实验与仿真分析

双步生长法在4H碳化硅上共溅射制备的镓铈氧化物钝化层

高介电常数氧化镓铈层在4H-碳化硅衬底上的控制生长温度

块状氮化镓肖特基势垒金属-半导体-金属紫外光电探测器的光响应特性