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N
N. Zainal
H指数:13
被引数:606
个人简介
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教育背景
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工作经历
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荣誉奖项
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TMAl预流优化用于低温生长AlN的AlGaN UVC LED异质结构
GaN基微LED在短距光互连中的研究进展与挑战
在p层生长过程中，铟表面活性剂浓度对绿色InGaN/GaN LED的影响
Optical Materials
IF4.2
使用榴莲果胶微藻在固定化基质中改善泥炭土质量以促进辣椒生产
马来西亚研究堆乏核燃料处置计划影响因素概述
高温退火Si掺杂AlGaN层的表面改善
在硅(1 1 1)衬底上，采用独特的AlN/GaN多层结构设计可增强GaN外延层的应力弛豫。
新型交错量子阱设计与表面活性剂GaN缓冲层在UVA发光二极管异质结构中的应用
OPTICAL MATERIALS
IF4.2
成核温度对4英寸圆顶状蓝宝石衬底上GaN生长均匀性的影响
在具有不同形状的图案化蓝宝石衬底上的GaN成核以改善GaN过度生长
VACUUM
IF3.9
通过预退火改善gan-on-gan LED的背面 (N面) GaN衬底粗糙化
OPTICAL MATERIALS
IF4.2
氨后退火温度对图形化蓝宝石衬底上电子束蒸发沉积GaN层的影响
