T
Ting Fu
H指数:3
被引数:111
个人简介
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教育背景
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工作经历
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荣誉奖项
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高性能SOT-MRAM,具有52 ppm原始比特错误率和1 ppm写入错误率,通过在300-mm晶圆上的新型写入方案实现
垂直STT-MRAM单元中写裕度的影响因素
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高性能SOT-MRAM,具有52 ppm原始比特错误率和1 ppm写入错误率,通过在300-mm晶圆上的新型写入方案实现
垂直STT-MRAM单元中写裕度的影响因素