N
N. V. Porokhov
H指数:5
被引数:77
个人简介
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教育背景
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工作经历
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荣誉奖项
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通过ScN缓冲层控制NbN薄膜超导性能
深入了解等离子体辅助杂原子掺杂和缺陷形成对增强碳纳米壁的面积电容的影响
ELECTROCHIMICA ACTA
IF5.6
直流磁控溅射在高k介电HfO2缓冲层上沉积的NbN薄膜的超导性能研究
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通过ScN缓冲层控制NbN薄膜超导性能
深入了解等离子体辅助杂原子掺杂和缺陷形成对增强碳纳米壁的面积电容的影响
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