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Mahshid Ahmadi

University of Tennessee
H指数:31
被引数:3,795

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工作经历

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荣誉奖项

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Resolving electron and hole transport properties in semiconductor materials by constant light-induced magneto transport

通过恒定的光致磁传输解决半导体材料中的电子和空穴传输特性

NATURE COMMUNICATIONS
IF15.7
2024-01-057
OAAI
Musiienko, Artem; Yang, Fengjiu; Gries, Thomas William; Frasca, Chiara; Friedrich, Dennis; Al-Ashouri, Amran; Saglamkaya, Elifnaz; Lang, Felix; Kojda, Danny; Huang, Yi-Teng; Stacchini, Valerio; Hoye, Robert; Ahmadi, Mahshid; Kanak, Andrii; Abate, Antonio

研究方向

暂未获取到该数据
S
Sergei V. Kalinin
H 指数:109论文数:1,643被引数:4.8万
B
Bin Hu
H 指数:50论文数:309被引数:1.0万
Y
Yongtao Liu
H 指数:28论文数:271被引数:3,142
O
Olga S. Ovchinnikova
H 指数:38论文数:204被引数:4,804
J
Jonghee Yang
H 指数:18论文数:109被引数:972
A
Anton V. Ievlev
H 指数:37论文数:216被引数:4,245
D
Dohyung Kim
H 指数:21论文数:111被引数:2,364
L
Liam Collins
H 指数:36论文数:200被引数:4,313
M
Maxim Ziatdinov
H 指数:2论文数:5被引数:5
K
Kate Higgins
H 指数:7论文数:19被引数:317