R
Rujun Sun
H指数:19
被引数:896
个人简介
暂无内容
教育背景
暂无内容
工作经历
暂无内容
荣誉奖项
暂无内容
6 A/1.6 kV或1.4 GW/cm<sup>2</sup>具有夹层式RESURF结构的β-Ga<sub>2</sub>O<sub>3</sub> MOS-JFETs
使用光致发光测量的氧退火引起的 β-Ga2O3外延膜内缺陷的变化
IEEE SENSORS JOURNAL
IF4.5
VACUUM
IF3.9
VACUUM
IF3.9
SOLAR ENERGY
IF6.6

