I
Inho Kim
H指数:35
被引数:3,586
个人简介
暂无内容
教育背景
暂无内容
工作经历
暂无内容
荣誉奖项
暂无内容
可靠的自旋转移力矩电阻随机存取存储器突触用于能量高效神经形态计算:通过Ru-Pt合金和AlO<sub>x</sub>工程抑制丝状过度生长和读出噪声
形貌调控的随机取向石墨颗粒实现无PTFE干法阳极工艺并增强锂离子传输
Energy Storage Materials
IF20.2
通过新型a-Si中间层钝化记录钙钛矿/PERC串联太阳能电池的开路电压
Small Methods
IF9.1
修正: 牺牲层概念界面工程,用于钙钛矿/硅串联太阳能电池的坚固,无损单片集成,产生0.813的高填充因子
Nano Convergence
IF11
牺牲层概念界面工程用于实现稳定的、无损耗的单片集成钙钛矿/硅叠层太阳能电池,其填充因子达到0.813
NANO CONVERGENCE
IF11
实时大规模神经连接推断在脉冲神经形态系统上
全面了解BaZr0.1Ce0.7Y0.1Yb0.1O3-δ 中的电荷和质量传输
极速充电锂离子电池石墨/硅复合电极设计指南
ENERGY STORAGE MATERIALS
IF20.2
提高单片iii-v/Si串联太阳能电池的iii-v层过滤Si子电池的开路电压
LANGMUIR
IF3.9
用于硅基串联太阳能电池的局部接触中间层的无光刻制造
NPG ASIA MATERIALS
IF8.3
基于FA/Cs的混合pb-sn钙钛矿太阳能电池: 稳定性和效率的最新进展
NANO ENERGY
IF17.1

