G
G. V. Taylor
H指数:8
被引数:141
个人简介
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教育背景
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工作经历
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荣誉奖项
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倾斜基底上硼碳化物薄膜磁控溅射沉积的放电功率效应
高功率脉冲磁控溅射沉积碳化硼:使用全表面侵蚀磁控溅射靶和Ar-Ne混合等离子体
惯性约束聚变用旋转基片上溅射沉积超厚Bi涂层
Vacuum
IF3.9
基底偏压和倾角对磁控溅射碳化硼薄膜的影响
采用直流磁控溅射法组合沉积用于下一代霍拉姆腔的超厚Ta-W-Au-Bi高熵合金
在倾斜基板上的低应力碳化硼薄膜的高速率磁控溅射沉积
采用直流磁控溅射高速沉积超厚铋薄膜
Vacuum
IF3.9
基于第一性原理的模拟:关联X射线吸收谱特征与h-BN中的点缺陷

