D
Dat Q. Tran
H指数:10
被引数:318
个人简介
暂无内容
教育背景
暂无内容
工作经历
暂无内容
荣誉奖项
暂无内容
通过瞬态热测量法解析SiC衬底上GaN HEMT结构中的横向热传输
外延生长的MgSnN<sub>2</sub>在4H-SiC (0001)上：一种用于绿色光电子学和光伏技术的地球丰量氮化物
APL MATERIALS
IF4.5
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未登录个人简介暂无内容
教育背景暂无内容
工作经历暂无内容
荣誉奖项暂无内容
通过瞬态热测量法解析SiC衬底上GaN HEMT结构中的横向热传输
外延生长的MgSnN<sub>2</sub>在4H-SiC (0001)上：一种用于绿色光电子学和光伏技术的地球丰量氮化物
研究方向