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2D materials-based flash memory device: mechanism; structure; application

delete2025-07-23
delete0
PRE
AI
X
Xiangxiang Yu
L
Langlang Xu
W
Wenhao Shi
X
Xiaohan Meng
X
Xinyu Huang
Z
Zhuiri Peng
L
Lei Tong
H
Huajun Sun
X
Xiangshui Miao
L
Lei Ye
DOI:10.1039/D5MH00803Ddelete
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摘要

摘要

En 中文
闪存因其非易失性和高密度特性,已成为现代电子系统的基础技术。传统闪存架构,包括NOR和NAND,依赖于两种主要存储单元结构:浮栅和电荷俘获晶体管,这些结构在性能方面面临日益增加的挑战。近年来,二维材料作为有前景的候选材料出现,有望克服传统闪存的局限性。由于二维材料具有原子级厚度、优异的电学性能和出色的静电控制能力,它们在浮栅和电荷俘获闪存单元中均具有显著优势,能够提升编程/擦除速度、数据保持力和耐久性。本文综述了二维材料在闪存技术中的集成,重点探讨了其在提升性能和实现大规模集成方面的作用。此外,二维材料独特的光电特性为多功能闪存应用(如神经形态计算)带来了令人兴奋的机会。尽管取得了显著进展,材料均匀性、CMOS兼容性和EDA平台适应性等问题依然存在。本文最后讨论了当前的限制,并提出了未来研究方向,旨在实现高性能、可扩展且多功能化的基于二维材料的闪存。
Keyword:
2D materials
flash memory
charge-trap transistors
non-volatility
neuromorphic computing

期刊

Materials Horizons 封面图
Materials Horizons
IF:
10.7
论文数:
3.6K
被引数:
2.4W

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