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Bulk Feedback Field-Effect Transistor
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DOI：10.1109/LED.2025.3588262.png)
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摘要
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介绍了一种基于体硅衬底制作的反馈场效应晶体管（FBFET）。该体硅FBFET具有双阱结构，衬底上有多个p-n结。这种新颖的结构可防止体泄漏，确保FBFET的可靠运行。体硅FBFET表现出独特的电学特性，包括漏极-源极电流（${I}_{\text{DS}}$）的自锁（latch-up）、解锁（latch-down）和滞回现象。在${I}_{\text{DS}}$自锁和解锁过程中，体硅FBFET表现出低于1 mV/dec的极低亚阈值摆幅和高达$5.71 \times 10^5$的开关比。
Keyword:
Bulk Si substrate
current latch-up
dual-well structure
feedback process
hysteresis
latch-down
期刊
IF:
4.5
论文数:
657
被引数:
2.3W
机构
引用论文
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