返回
Emerging applications: Neuromorphic computing and reservoir computing
DOI:10.1557/s43577-025-00990-z.png)
摘要
En 中文
掺杂氧化铪(HfO2)基铁电薄膜的出现,使得可高度缩放且与硅兼容的铁电器件得以实现,为神经形态计算和储层计算开辟了新的前沿。其中,铁电场效应晶体管(FeFETs)因其模拟存储特性和独特的极化动力学而备受关注。这些特性使FeFETs成为神经形态架构中人工突触的理想候选者,支持基于漏积分-放电(LIF)机制的深度神经网络和脉冲神经网络。除神经形态计算外,FeFETs在物理储层计算中也发挥着关键作用,利用其固有的非线性及历史依赖行为实现高效实时学习。该方法在时间序列处理和边缘人工智能(AI)应用中具有显著优势,满足了日益增长的能效计算需求。本文探讨了基于FeFET的神经形态和储层计算的基本原理、关键演示及其未来潜力,突显了它们对下一代AI硬件的影响。
Keyword:
Electronic material
Ferroelectric
Ferroelectricity
Neuromorphic
Memory
Devices
Computation/computing
期刊
IF:
4.9
论文数:
5.3K
被引数:
9.5K
机构
引用论文
The Electrode-Ferroelectric Interface as the Primary Constraint on Endurance and Retention in HZO-Based Ferroelectric Capacitors电极-铁电界面是HZO基铁电电容器中耐久性和保持性的主要限制
citation_journal_title=Jpn. J. Appl. Phys.; citation_author=S-Y Min, K Toprasertpong, E Nako, R Nakane, M Takenaka, S Takagi; citation_volume=63; citation_issue=3; citation_publication_date=2024; citation_doi=10.35848/1347-4065/ad2133; citation_id=CR40期刊名称: Jpn. J. Appl. Phys.; 作者: S-Y Min, K Toprasertpong, E Nako, R Nakane, M Takenaka, S Takagi; 卷号: 63; 期号: 3; 出版日期: 2024; DOI: 10.35848/1347-4065/ad2133; 引用ID: CR40
Fully Ferroelectric-FETs Reservoir Computing Network for Temporal and Random Signal Processing用于时间和随机信号处理的全铁电fet储层计算网络
Switching Dynamics in Anti-Ferroelectric Transistor for Multimodal Reservoir Computing用于多模态储层计算的反铁电晶体管中的开关动力学
citation_journal_title=IEEE Electron Device Lett.; citation_author=J Luo, B Fu, Y Du, X Wei, C Su, M Yang, Q Huang, R Huang; citation_volume=45; citation_issue=2; citation_publication_date=2024; citation_pages=264; citation_doi=10.1109/LED.2023.3345359; citation_id=CR31期刊名称:IEEE Electron Device Lett.;作者:J Luo, B Fu, Y Du, X Wei, C Su, M Yang, Q Huang, R Huang;卷:45;期:2;出版日期:2024;页码:264;DOI:10.1109/LED.2023.3345359;引用ID:CR31

