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Region selective imaging method based on super-resolution lithography
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DOI：10.1016/j.optlastec.2025.114485.png)
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摘要
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等离激元光刻利用金属表面的倏逝波来超越衍射极限。然而，当前的超分辨技术依赖于按比例缩放的掩模和纳米级对准，引入了显著的制备复杂性。本文提出了一种基于预图案化层共形生长的表面等离激元区域选择性光刻。利用初始微米级图案作为自然边界，并借助垂直共形沉积，该方法在第二次曝光期间能够在指定区域内实现自对准超分辨图案化——无需掩模或精确对准。严格的耦合波分析（RCWA）和有限元方法（FEM）模拟证实，这种选择性自激发光刻在不同波长、前层共形结构宽度和结构周期下均能保持优异的周期成像性能。该技术在436 nm、532 nm和633 nm的照明波长下分别实现了28.5 nm（1/15.3波长）、40 nm（1/13.3波长）和50 nm（1/12.7波长）的分辨率。分析表明，成像性能在前层宽度和成像周期的范围内保持稳定，从而扩展了该方法可制备图案的复杂度。即使在三维（3D）周期结构中，该方法也保持了高对比度和归一化图像对数斜率（NILS）。该技术消除了对纳米级掩模的需求，并避免了套准误差，为周期性图案生成提供了一种低成本、高分辨率的制备方法。
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