X
Xintong Xie
H指数:9
被引数:432
个人简介
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教育背景
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工作经历
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荣誉奖项
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基于InP的具有渐变In1-xGaxAs通道层和双Si掺杂结构的HEMT新型器件的辐射硬度提升
无标记、无鞘液的磁流体动力学微流控芯片用于尺寸依赖性分选
采用背势垒和局部掺杂势垒层的GaN HEMT的直流和射频特性提升
具有p-gan掩埋层和局部掺杂势垒层的新型AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管的单事件瞬态效应的改善
提高击穿电压的新型AlGaN/GaN HEMT单事件瞬态效应的改善

