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S
Shuxiang Sun
H指数:11
被引数:332
个人简介
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教育背景
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工作经历
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荣誉奖项
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缺陷对InAlAs/InGaAs肖特基势垒二极管电性能的影响
Semiconductors
IF0.6
AlN/GaN HEMT的电静力分析：基于SiC和β-Ga2O3晶圆的β-Ga2O3缓冲层用于5G/6G无线基础设施及未来亚太赫兹应用
基于InP的具有渐变In1-xGaxAs通道层和双Si掺杂结构的HEMT新型器件的辐射硬度提升
一种用于ESD应用的集成GaN PNP双极结型晶体管
采用背势垒和局部掺杂势垒层的GaN HEMT的直流和射频特性提升
具有p-gan掩埋层和局部掺杂势垒层的新型AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管的单事件瞬态效应的改善
提高击穿电压的新型AlGaN/GaN HEMT单事件瞬态效应的改善
