Hoseong Shin

沉积速率调控的p型硒合金化碲-碲氧化物薄膜的功能演化及其在薄膜晶体管中的应用

基于混沌极化模式的光学PUF在三元认证应用中

通过TaS2浮栅部分氧化形成的超薄TaOx隧穿层，实现高可靠性的MoS2闪存

近期在信息显示用基板薄膜晶体管开发方面的进展

WSe2中的无序与相互作用驱动的量子临界性

通过使用费米能级无钉扎2D金属电极实现的P型垂直fet

半金属边缘接触用于MoS2场效应晶体管中载流子的无障碍传输

通过接触工程形成的WSe2横向p-n同质结中的无掺杂高性能光伏效应

通过半金属锑作为触点在PdSe2场效应晶体管中实现超高电子迁移率

黑磷场效应晶体管中基于渗流的金属-绝缘体转变

探测二维PdSe2半导体器件中本征缺陷诱导的陷阱态和跳跃传输