Hong Li

肖特基势垒场效应晶体管的性能能有多好？单层ZrS₂的案例研究

通过外加电场调控石墨烯/GeSe范德华异质结构的电子和摩擦学性能

评估用于双层WSe2的低电阻欧姆接触电极：一项第一性原理研究

Janus MoSH与SiC单层材料之间的界面工程：一项第一性原理研究

MXenes用于n型和p型欧姆接触的单层MoS2和WS2：一项第一性原理研究

基于单层铂硒化物的低功耗和高性能MOSFETs的从头算量子输运模拟

寻求单层PtS2的n型和p型欧姆接触：一项第一性原理研究

基于第一性原理的α-硒单层p-n结光电器件光电流分析

筛选单层MoSe2的理想MXene电极: 第一性原理研究

单层磷化硼的理想电极及其器件性能

具有硅电极的SnSe2隧穿场效应晶体管的导通状态电流优化

降低界面滑动摩擦力的策略: WSe2/石墨烯系统的第一性原理研究案例

单层AlN和GaN mosfet的缩放极限