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收藏Positron annihilation at proton-induced defects in 6H-SiC/SiC and 6H-SiC/SiO2/Si structures
Barthe, MF; Henry, L; Corbel, C; Blondiaux, G; Saarinen, K; Hautojärvi, P; Hugonnard, E; Di Cioccio, L; Letertre, F; Ghyselen, B
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