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K. L. Vanheusdan
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IF
被引数
Interfacial hardness enhancement in deuterium annealed 0.25 mu m channel metal oxide semiconductor transistors
APPLIED PHYSICS LETTERS
IF
3.6
1997-06-02
68
PRE
AI
Devine, RAB; Autran, JL; Warren, WL; Vanheusdan, KL; Rostaing, JC
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合作学者
合作期刊
W
W. L. Warren
H 指数: 57 · 论文数: 284
R
R. A. B. Devine
H 指数: 43 · 论文数: 338
J
J. C. Rostaing
H 指数: 12 · 论文数: 26
J
Jean‐Luc Autran
H 指数: 0 · 论文数: 0
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