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T
Takashi Suemasu
H指数:46
被引数:1.0万
个人简介
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教育背景
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工作经历
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荣誉奖项
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掺杂Mn4N外延薄膜室温磁补偿的当前状态
玻璃上多晶Ge层通过顺序固相生长和晶粒模板法制备的光响应性
MATERIALS & DESIGN
IF7.9
在MgO(001)和SrTiO₃(001)衬底上通过射频磁控溅射制备⟨100⟩取向的超薄(∼4 nm)连续Pt薄膜
低温多晶Ge中创纪录的高功率因子柔性热电发电机
利用EPR、PL和DFT研究BaSi2中的缺陷
采用溅射法制备高光响应度BaSi2薄膜，并通过BaSi2/n+-Si异质结二极管中的光生载流子分离（以n+-Si作为电子传输层）。
第一性原理研究As2在BaSi2 (100)表面的解离
第一性原理研究分子束外延生长BaSi2薄膜中砷的掺入
多晶锗薄膜的氢钝化效应
NPG Asia Materials
IF8.3
Ba2AgSi3薄膜：生长、热电性质及通过杂质掺杂控制其导电类型的第一性原理计算
通过金属催化剂合金化在层交换中采用贝叶斯优化的绝缘体上高质量多层石墨烯
CRYSTENGCOMM
IF2.6
退火条件对多层石墨烯层交换电池负极性能的影响
ENERGY ADVANCES
IF4.3
通过电子顺磁共振，光致发光和密度泛函理论识别和分析BaSi2 2中的点缺陷
ACTA MATERIALIA
IF9.3
