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H
Huazhong Yang
H指数:56
被引数:1.5万
个人简介
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教育背景
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工作经历
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荣誉奖项
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ROM-SRAM混合存内计算技术用于边缘AI：电路、架构与挑战
一种基于形状感知计算架构和时空高斯缓存的边缘3-D高斯斑块处理器
一种基于单元集群校准的NVM非理想性缓解解决方案，用于模拟高密度边缘多级单元存内计算
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一种基于查找表的低面积消耗eDRAM数字CIM宏模块，用于神经网络推理
一款16位10-GS/s DAC，在28-nm CMOS工艺下实现>65-dBc SFDR和<–75-dc IM3，直至奈奎斯特频率。
DCiROM：一种高密度全数字存储器计算宏，用于高效的任务级DNN推理
通过基于eDRAM的原位计算在边缘处理器中实现能效优化的同态加密评估
基于Multi-TransFKAN模型测井储层参数预测方法研究
SCIENTIFIC REPORTS
IF3.9
阴 G, 杨 L, 牛 T, 等. 基于单晶粒磨削的4H-SiC材料去除机制研究及工艺参数优化[J]. 巴西机械科学与工程学会志, 2025, 47(3): 1-14.
28 nm 8位16 GS/ DAC，> 60 dBc/>40 dBc SFDR高达2.3 GHz/5.4 GHz，使用4通道NRZ输出重叠时间交织
四旋翼控制零样本模拟到现实强化学习策略学习的关键因素：一项全面研究
具有张量类型和噪声强度感知精度调度的扩散网络完全量化训练加速器
基于TFT的近传感器内存计算: 大面积eDRAM和ROM CiM芯片的电路和架构观点
