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Filippo Giannazzo
H指数:51
被引数:9,376
个人简介
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教育背景
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工作经历
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荣誉奖项
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AVA-MAPbI<sub>3</sub>冠根状岛在介孔TiO<sub>2</sub>上朝向农光互补中性色半透明钙钛矿太阳能电池
热氧化4H-SiC MOS结构在不同退火条件下的电学性质和界面应变
肖特基二极管在氨热法和水热气相外延GaN衬底上的电学特性
关于ALD在4H-SiC上生长铝基介电堆栈的见解
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IF4.3
近无应变单层二硫化钼异质结与GaN的能带排列及电光行为
PLD生长的二维MoS2薄膜在MBE生长的AlN/Si(111)异质结构上的结构及类Esaki二极管电学特性
可扩展介电技术用于二维材料电子学
肖特基势垒及接触诱导的应变变化对单层MoS2晶体管电学行为的影响
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热退火效应对n型4H-SiC上Mo肖特基接触的电学和结构性质的影响
通过硫化和铼化超薄Mo/W堆叠实现光学均匀的MoWS2合金的可扩展生长
通过多尺度关联的电学、光学和热学表征理解扩展晶格缺陷对4H-SiC功率MOSFETs的影响
金剥离单层MoS2的温和温度热处理
NANOMATERIALS
IF4.3
大面积单层过渡金属二硫化物的金辅助剥离: 从界面性能到器件应用
石墨烯和MoS2在碳化硅上的集成: 材料科学挑战和新型器件

