Xiangjie Xing

低温临时键合通过表面激活键合将InP HBT外延层转移至硅上

通过氢化非晶硅实现的应力辅助自剥离技术，用于将GaN异质结构转移至(100)Si基板上的表面活化键合方法

基于表面激活键合技术制备的Si/Al₂O₃/Si结构的高温稳定性和势垒研究

在金刚石（LNOD）异质集成中，通过表面激活键合实现超过90%的转移率。