H
Hyeong-U Kim
H指数:19
被引数:1,447
个人简介
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教育背景
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工作经历
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荣誉奖项
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厚度可编程的光忆阻器动态特性:用于计算器芯片的6英寸晶圆级原子层控制的WS<sub>2</sub>
通过原子层沉积法在PMMA中实现InOx基序介导的交联,用于负性光刻
通过HfO2薄膜沉积实现的过渡金属硫属化物中的掺杂和钝化效应
块体范德瓦尔斯VSe2的人工室温铁磁性 (Adv. Sci. 34/2025)
Advanced Science
IF14.1
基于数字图像色度计驱动的原位、非接触等离子体刻蚀深度预测的机器学习方法
单片集成范德华突触存储器,通过体纳米晶化实现
ADVANCED SCIENCE
IF14.1
块体范德瓦尔斯VSe2的人工室温铁磁性
Advanced Science
IF14.1
应变辅助的大规模1T-MoS2合成及其光学突触闪存应用
SMALL METHODS
IF9.1
等离子体预处理提高石墨阳极容量保持率的工业规模L型介质阻挡放电反应器的研制
SENSORS
IF3.5
ADVANCED MATERIALS
IF26.8
电化学势下MoS2异质结结附近肖特基势垒的解锁
在低射频功率NF3-O2反应离子蚀刻中提高Si3N4对SiO2的选择性: NO表面反应的影响
SENSORS
IF3.5
WS2中与温度有关的相变,用于增强带间隧穿和光反应性随机存取存储器应用
SMALL SCIENCE
IF8.3

