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H
Hsiao-Hsuan Wan
H指数:9
被引数:391
个人简介
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教育背景
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工作经历
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荣誉奖项
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肖特基金属接触对垂直p型金刚石整流器势垒高度的影响，并以ITO/金刚石异质结为基准
Al成分对NiO/(AlxGa1-x)2O3异质结能带对齐的依赖性
全透明横向AlN肖特基势垒二极管（ITO电极）
基于AlN的高稳定性日盲区MSM光电探测器（Ti/Au接触）的全面研究
非氢化及H终止(100)金刚石上铟锡氧化物(ITO)和铝掺杂氧化锌(AZO)的能带排列
通过在绝缘衬底上逐步阳极氧化Ti薄膜制备TiO2纳米管阵列
MATERIALS
IF3.2
700 V击穿垂直金刚石肖特基整流器，功率品质因数为30.5 MW⋅cm⁻²
APL MATERIALS
IF4.5
