S
Sung-Jin Kim
H指数:20
被引数:2,862
个人简介
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教育背景
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工作经历
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荣誉奖项
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开发一种软性冷却预退火处理以改善基于非晶IGZO半导体薄膜的光响应薄膜晶体管性能
光调制电阻式开关在GO掺杂In2O3/TiO2忆阻器中用于人工突触应用
电场和热处理对溶液法制备In2O3薄膜晶体管的协同效应
不同含量二维MoS₂掺杂对In₂O₃薄膜晶体管电学性能及稳定性的影响
一种具有多电子反应的An Na3VMn0.5Ti0.5(PO4)3 NASICON正极材料,用于可持续储能
J. Mater. Chem. A
IF9.5
通过梯度退火方法改善具有非晶金属氧化物半导体薄膜的晶体管的光开关性能
OPTICAL MATERIALS
IF4.2
具有Na3VFe0.5Ti0.5(PO4)3的阴极纳米结构: 克服钠离子电池多电子反应的能量障碍
CARBON ENERGY
IF24.2
基于0.5ba (Zr0.2Ti0.8)O3-0.5(Ba0.7Ca0.3)TiO3陶瓷并掺杂Sb2O3的Rosen型压电变压器
MATERIALS
IF3.2
用亚1% 钼掺杂环境友好水溶液工艺制备的氧化铟半导体薄膜,以提高器件性能和稳定性
高k和耐高温的聚倍半硅氧烷: 在低电压下运行的溶液处理的金属氧化物半导体晶体管的潜力
MATERIALS
IF3.2
用于有机集成器件的可光图案化的高k聚倍半硅氧烷电介质: UV固化对化学和电性能的影响

