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J
Jongwon Yoon
H指数:27
被引数:3,901
个人简介
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教育背景
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工作经历
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荣誉奖项
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硫属元素合金工程化Te<sub>2</sub>Se/Si异质结用于低噪声互补金属氧化物半导体兼容的短波红外成像
磷驱动的n-a-Si:H系统结构及电场工程用于柔性n-a-Si:H/Te近红外光电探测器
Advanced Science
IF14.1
碲/硅异质结基p-n二极管中载流子输运的深度电学特性表征
基于Te0.7Se0.3合金的1300 nm光谱范围光电晶体管通过双栅工程实现增强型短波红外光电探测
Scientific Reports
IF3.9
通过2D-MoS2缓冲层在低热预算下实现的高性能和可扩展的铁电二极管
Small
IF12.1
通过竞争性铁电性和陷阱辅助开关对具有Al2O3/HfO2介电层的IGZO晶体管中突触可塑性的动态控制
芯片级石墨烯/IGZO冷源FET阵列实现低于60 mV dec⁻¹的超陡亚阈值摆率
ADVANCED MATERIALS
IF26.8
通过CF4等离子体处理Ge，增强Pt/Ti/Al2O3/p-Ge金属-氧化物-半导体忆容器的器件可靠性
NANOMATERIALS
IF4.3
用于智能窗户和辐射冷却的热致变色二氧化钒纳米结构
使用离子可渗透WS2电极的3D可堆叠垂直传感电化学随机存取存储器，用于高密度神经形态系统
具有a-igzo薄膜晶体管 (tft) 和p-i-n氢化非晶硅光电二极管的半透明和柔性集成图像传感器阵列的单片集成
NANOMATERIALS
IF4.3
使用掩埋栅极结构的基于晶圆级2D-MoS2 fet的集成逻辑电路
NANOMATERIALS
IF4.3
用于光学传感应用的纳米结构二氧化钒材料
SENSORS
IF3.5
生物启发的超柔性人工范德华2D-MoS2通道/LiSiOx固体电解质突触阵列，通过激光剥离过程可穿戴自适应神经形态计算
SMALL METHODS
IF9.1
