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Atomic layer deposition
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DOI：10.1038/s43586-025-00435-6.png)
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摘要
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原子层沉积（ALD）是一种表面控制的化学气相沉积方法，其中材料逐原子层制备。通过ALD，薄膜厚度可以非常精确地控制，并且它允许用户以均匀和共形的方式覆盖大面积和具有复杂三维结构的表面。ALD用于沉积高质量薄膜和纳米结构，以及用于表面功能化和界面工程，在广泛的应用中，无论是从研究开发的角度，还是大规模制造的角度。本综述概述了ALD的方法，描述了常用的前驱体、共反应物和工具，并举例说明了ALD过程的典型结果。我们描述了ALD在半导体、太阳能和显示行业中的大规模制造应用，并详细介绍了其他现有的和新兴的应用领域。我们特别关注该方法的可重复性、关键技术规格和性能指标，以及其局限性和挑战。最后，我们概述了ALD的未来前景及其应用，以将其置于原子级加工的更广泛趋势之中。原子层沉积是一种表面控制的化学气相沉积方法，通过逐原子层沉积材料，对薄膜厚度提供了高度的控制。该技术可用于获得具有显著共形性和均匀性的高质量薄膜。
Keyword:
Atomic layer deposition
Thin films
Surface functionalization
High-volume manufacturing
Atomic-scale processing
期刊
IF:
56
论文数:
104
被引数:
9.3K
机构
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