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Machine Learning-Driven Variability Analysis of Process Parameters for Semiconductor Manufacturing

delete2026-03-06
delete0
delete
OA
AI
S
Sinyeong Kang
H
Hyeok Yun
K
Kyeongrae Cho
S
Seungjoon Eom
S
Soomin Kim
R
Rockhyun Baek *
DOI:10.1002/aisy.202501049delete
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摘要

摘要

En 中文
半导体制造涉及众多工艺步骤,需要高精度的技术,这些技术成本高昂且耗时。因此,人工智能(AI)被广泛用于提高生产效率和优化良率,而良率直接关系到成本。在AI技术中,非线性变异分解(NLVD)定量评估每个输入变量对输出的贡献(针对单个样本)。然而,传统的NLVD方法仅限于分析晶圆(wafer)级别的样本数据,且各输入贡献间的相互依赖性使得直接应用于批量(LOT)级别的方差分解变得复杂,批量(LOT)代表一组晶圆(WFs)。本研究提出了一种新方法,结合NLVD与统计技术,以量化每个单元工艺对器件/电路性能及批量(LOT)级别的方差的贡献。为确保可靠评估,引入的晶圆均值(WF-mean)采样增强了模型性能,与随机采样相比,平均提高了2.5%的 $R^2$。进行了全面的验证,并对关键性能指标(figure of merit)方差的各单元工艺贡献分析显示,与传统误差传播定律相比,误差平均减少了85.5%。所提出的方法能够精确计算性能/方差的贡献,以识别半导体批量(LOT)中用于良率改进的单元工艺,从而提升良率管理。
Keyword:
dynamic random-access memory (DRAM)
mathematics and computer science
neural networks
semiconductor manufacturing
variability
AI总结

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