Non-Linear Dark Current Behavior in CMOS Image Sensor

Kang, Jungwoo

doi:10.1109/led.2026.3716948

Non-Linear Dark Current Behavior in CMOS Image Sensor

2026-09-01

0

PRE

AI

DOI：10.1109/led.2026.3716948

原文链接

原文求助

摘要

En 中文

本通讯报道了先进CMOS图像传感器中白斑的非线性暗电流行为。随着基于钉扎光电二极管的CIS的持续缩放和结构复杂性增加，深入理解白斑的产生机制对于开发高性能图像传感器至关重要。在本工作中，我们研究了先进图像传感器中某些像素观察到的非线性暗电流行为，其特征是随着积分时间的增加，载流子产生率下降。我们将这种行为归因于准中性区域的扩展伴随着电荷积累，这驱动缺陷位点趋向于陷阱占据，从而抑制了肖克利-读-霍尔产生。该机制得到了3D解析模型和TCAD模拟的支持。

Keyword:

Pixel

Modeling

Timing

CMOS image sensors

Dark current

Three-dimensional displays

CMOS image sensor (CIS)

white spot (WS)

pinned photodiode (PPD)

generation rate (GR)

quasi-neutral region

analytic model

dark current

semiconductor defects

bulk defects

Shockley-read-hall (SRH)

Non-Linear Dark Current Behavior in CMOS Image Sensor

摘要

期刊

机构

引用论文