.png){kind=icon}
返回
Plasma Knowledge-Based Polymorphic Engineering for Two-Dimensional Semiconductor Contacts
.png){kind=icon}
PRE
AI
DOI：10.1021/acsnano.5c17260.png)
.png){kind=icon}
原文求助.png){kind=icon}
分享.png){kind=icon}
收藏
摘要
En 中文
二维过渡金属二硫族化合物（TMDs）被广泛视为扩展CMOS技术的领先通道材料，但其向实际应用的进展受到缺乏可扩展、与代工厂兼容的低电阻欧姆接触制备方法的根本制约。本文演示了一种CMOS兼容的等离子体离子辐照驱动的相变，通过在MoTe2和WS2的半导体2H相内选择性诱导金属1T′相来创建多晶结构。通过采用定量等离子体参数计量学，我们识别了三种离子-固体相互作用区域，并确定了诱导相变同时避免刻蚀或晶格退化的阈值离子能量通量。在此区域内形成的多晶边缘接触显著降低了接触电阻，在导通态栅偏压下低至122 Ω·μm。精确调控等离子体动能通量可调节相变深度，便于制备具有增强导通电流（最高68.15 μA/μm）、开关比超过107、创纪录高迁移率1.61 × 104 cm2/V·s以及优异电流饱和和稳定性的边缘接触MoTe2器件。该工作建立了一种适用于二维材料的等离子体辅助相工程通用框架，并为将多晶TMD接触集成到下一代智能CMOS提供了实际可行的制造途径。
Keyword:
Contact resistance
Fluxes
Ions
Phase transitions
Plasma
polymorphic engineering
plasma phase transition
plasma ion flux
2D TMDs FET
Ohmic contact
期刊
IF:
16
论文数:
2.6W
被引数:
25.6W
机构
引用论文
Approaching the quantum limit in two-dimensional semiconductor contacts在二维半导体接触中接近量子极限.png)
Nature
NatureIF0
PREAI
分享收藏分享收藏Gate Oxide Module Development for Scaled GAA 2D FETs Enabling SS<75mV/d and Record Idmax>900μA/μm at Lg<50nm栅氧化层模块开发用于缩放的GAA 2D FETs，实现SS<75mV/d和创纪录的Idmax>900μA/μm在Lg<50nm时
PREAI
分享收藏分享收藏Ultralow contact resistance between semimetal and monolayer semiconductors半金属与单层半导体之间的超低接触电阻Nature
OAAI
NatureIF0
OAAI分享收藏MoTe2 Lateral Homojunction Field-Effect Transistors Fabricated using Flux-Controlled Phase EngineeringACS NANO
ACS NANOIF16
PREAI
分享收藏
查看更多内容