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Structuring large area WS2 layers grown by atomic layer deposition
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AI
DOI：10.1116/6.0005225.png)
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摘要
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在200 mm晶圆上实现二维材料的规模化沉积与集成，以应用于新兴微电子领域，具有极高的挑战性。在整个加工过程中，必须解决材料生长与图形化的关键问题。因此，本研究提出了一种自下而上生长并随后图形化200 mm晶圆上超薄二维WS2层的新方法。为此，采用原子层沉积（ALD）技术在200 mm晶圆上直接生长WS2薄膜，随后通过光刻和离子束刻蚀进行图形化。为防止WS2层在图形化过程中发生降解和层离，采用了原位ALD Al2O3封装层。即使在沸去离子水处理（该处理使Al2O3多孔化以满足传感应用需求）后，WS2及下层特征仍保持完好。为详细探究图形化和封装过程的影响，采用了拉曼光谱、扫描电子显微镜和透射电子显微镜进行分析。详细分析表明，所提出的策略能够利用Al2O3封装层在200 mm晶圆上实现WS2层的图形化。在叉指电极上图形化的WS2电学测量显示，电流响应呈线性，200 mm晶圆上的平均电阻为0.4±0.26 MΩ。总体而言，我们的发现表明，这为WS2在各类微纳系统（尤其是传感器）中的可扩展集成提供了有前景的途径，并支持未来这些工艺的进一步扩展。
Keyword:
TUNGSTEN DISULFIDE WS2
TRANSISTORS
MOS2
期刊
J
IF:
2.1
论文数:
238
被引数:
0
机构
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