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Write disturb model for 3D XPointTM array
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AI
DOI：10.1109/led.2026.3733767.png)
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摘要
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本研究探讨了3D XPoint™技术中的写入干扰（WD），重点关注相邻单元之间的热致串扰。开发了一个基于物理的电-热模型，并将其集成到TCAD框架中，通过与大量实验物理和电气数据的校准进行验证。该模型通过考虑堆栈到堆栈的不对称性和编程诱导的化学计量梯度，再现了观察到的WD行为。它提供了一个预测框架，以改善3D XPoint™阵列中的WD控制和可靠性。
Keyword:
3D XPointTM
cross-point
crossbar technology
thermal/write disturb
reliability modeling
