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N
Naoya Niikura
Waseda University
2
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12
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2
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IF
被引数
C-Si bonded two-dimensional hole gas diamond MOSFET with normally-off operation and wide temperature range stability
CARBON
IF
11.6
2021-04-01
30
PRE
AI
Bi, Te; Chang, Yuhao; Fei, Wenxi; Iwataki, Masayuki; Morishita, Aoi; Fu, Yu; Niikura, Naoya; Kawarada, Hiroshi
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Effects of Regrown Layer Thickness and Nitrogen Concentration on Current Rise at Low Drain Voltage in Vertical Diamond MOSFET
再生长层厚度和氮浓度对垂直金刚石MOSFET低漏电压下电流上升的影响
IEEE Transactions on Electron Devices
IF
3.2
0
PRE
AI
Kosuke Ota; Koji Amazutsumi; Runming Zhang; Yuta Nameki; Naoya Niikura; Jun Tsunoda; Atsushi Hiraiwa; Hiroshi Kawarada
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研究方向
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合作学者
合作期刊
H
Hiroshi Kawarada
H 指数: 61 · 论文数: 740
A
Atsushi Hiraiwa
H 指数: 28 · 论文数: 198
K
Kosuke Ota
H 指数: 21 · 论文数: 126
J
Jun Tsunoda
H 指数: 6 · 论文数: 23
R
Runming Zhang
H 指数: 2 · 论文数: 10
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