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个人简介
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教育背景
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工作经历
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荣誉奖项
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1700-V增强型MIS-HEMT器件在6英寸GaN-on-Si晶圆上实现全凹栅结构
基于木质素的pH高响应性聚羧酸类化合物的合成及其在纤维素酶回收中的应用
FUEL
IF7.5
SiON/III族氮化物界面性质对GaN基功率场效应晶体管器件性能的影响
基于MOCVD原位SiNx增强阈值电压稳定性的先栅AlGaN/GaN HEMT技术
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基于MOCVD原位SiNx增强阈值电压稳定性的先栅AlGaN/GaN HEMT技术