M
Mario Prescher
H指数:17
被引数:1,238
个人简介
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教育背景
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工作经历
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荣誉奖项
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AlScN/GaN多通道异质结构,通过金属有机化学气相沉积生长
晶圆级N掺杂金刚石(111)(通过异质外延生长获得),其氮空位相干时间主要由氮自旋浴限制。
磁控溅射外延制备的纤维织构和外延钼薄膜的结构和电学性能
APL MATERIALS
IF4.5
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AlScN/GaN多通道异质结构,通过金属有机化学气相沉积生长
晶圆级N掺杂金刚石(111)(通过异质外延生长获得),其氮空位相干时间主要由氮自旋浴限制。
磁控溅射外延制备的纤维织构和外延钼薄膜的结构和电学性能