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激光增强量子传感提升灵敏度和动态范围

Si基氮化镓高电子迁移率晶体管在多级级联电路中的应用

D波段GaN功率放大器，饱和输出功率28-dBm，功率密度0.2 W/mm²，并具有损耗优化的匹配网络

在四栅极20纳米InGaAs硅基高电子迁移率晶体管技术中利用背栅偏置演示E/D-模式逻辑电路

连续电流检测 GaN 半桥 ICs

AlScN/GaN多通道异质结构，通过金属有机化学气相沉积生长

在GaN-on-Si技术中的自兼容晶体管用于高压级联电路

常关型准垂直GaN鳍式场效应晶体管，基于蓝宝石衬底，采用i线光刻技术加工鳍宽在100 nm范围内

具有氮空位集合的可见光至近红外范围内的高对比度吸收磁强计

双介质激光系统: 氮空位金刚石和红色半导体激光器

准方波零电压开关滞环电流控制的高效通话功率转换

单片集成GaN栅极驱动器-设计指南

宽带400-GHz InGaAs mHEMT发射器和接收器s-mmics