Yichun Zhou

超低电压BEOL兼容的HZO铁电忆容器的神经形态计算

富锆 hafnia 基多层薄膜中，局部层间扩散驱动了优异的铁电性和可靠性。

构建经济型自动驾驶实验室：面向物理教育的实用机器学习实验与物联网应用

铁电BiFeO3薄膜的持久铁电保持性

HfO2基铁电薄膜中各向异性180°畴壁的动力学特性：基于相场模拟

HfO2中的氢缺陷：对铁电性和漏电的影响

一种基于CuIn0.7Ga0.3Se2/Al掺杂ZnO p-n异质结的光电子人工突触，用于仿生神经形态计算

反二极管行为、负光电导效应及载流子输运机制在PbZrO3反铁电忆阻器神经形态计算中的应用

含BFCO的HfO2夹层结构表现出适用于神经形态计算的光电突触特性

用于神经形态计算的Y掺杂HfO2铁电忆阻器的光电突触特性

褶皱Hf0.5Zr0.5O2铁电膜的自我修复

基于二维CuInS2忆阻器的柔性人工突触，用于神经形态计算