.png){kind=icon}
M
Min Liao
H指数:39
被引数:5,402
个人简介
暂无内容
教育背景
暂无内容
工作经历
暂无内容
荣誉奖项
暂无内容
11000 PPI CMOS驱动的量子点微显示器通过界面功函数工程实现
协同双重内置电场赋能混合维度的1T'-MoTe<sub>2</sub>/WS<sub>2</sub>/p-GaAs光电探测器，实现场增强的高偏振敏感性，用于智能偏振编码系统
Small
IF12.1
高性能3-D沟槽Hf0.4Zr0.6O2基铁电电容器，通过相边界工程实现超低矫顽场（0.69 MV/cm）
柠檬酸抑制相分离辅助三元阳离子钙钛矿单晶薄膜的原位生长以实现高效太阳能电池
超低电压BEOL兼容的HZO铁电忆容器的神经形态计算
从超薄到块体：通过第一性原理解码Y掺杂HfO2中厚度无关的铁电性
富锆 hafnia 基多层薄膜中，局部层间扩散驱动了优异的铁电性和可靠性。
基于手性纳米材料的自旋LED近期进展：连接基础物理、材料与器件性能
HfO2基铁电薄膜中各向异性180°畴壁的动力学特性：基于相场模拟
Acta Materialia
IF9.3
HfO2中的氢缺陷：对铁电性和漏电的影响
铁电薄膜在不同电极界面下的极化演化（无应变）
Hf0.5Zr0.5O2铁电薄膜中由VO2金属-绝缘体相变诱导的相变
Rare Metals
IF11
利用原位STEM加热技术观察受顶电极影响的Hf0.5Zr0.5O2薄膜中的相变
块材和电极/铁电体/电极异质结构中HfO2铁电体的极化翻转
HfO2的反铁电-铁电相变及其影响因素
开发基于HZO的超晶格以通过抑制电荷注入来提高抗疲劳性能
基于原位应力调控的柔性Hf0.85Ce0.15O2薄膜的增强铁电性能
NPJ FLEXIBLE ELECTRONICS
IF15.5
